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龙图腾网获悉法博思(宁波)半导体设备有限公司申请的专利一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116810636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310529611.4，技术领域涉及：B24B49/12；该发明授权一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法及装置是由朱建国;宋金龙设计研发完成，并于2023-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法及装置，一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法包括在对待研磨硅片的硅片层进行研磨的情况下，获取接触式探头探测的第一数值和非接触式红外探头探测的第二数值，其中，所述待研磨硅片包括衬底层和所述硅片层，所述第一数值为待研磨硅片的总厚度，所述第二数值为所述硅片层的光程；在所述第一数值或者所述第二数值满足第一预设条件的情况下，停止对所述硅片层的研磨，得到目标研磨硅片。

本发明授权一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种含衬底的半导体硅片的研磨厚度控制方法，其特征在于，所述方法包括： 在对待研磨硅片的硅片层进行研磨的情况下，获取接触式探头探测的第一数值和非接触式红外探头探测的第二数值，其中，所述待研磨硅片包括衬底层和所述硅片层，所述第一数值为待研磨硅片的总厚度，所述第二数值为所述硅片层的光程； 在所述第一数值或者所述第二数值满足第一预设条件的情况下，停止对所述硅片层的研磨，得到目标研磨硅片； 其中，所述待研磨硅片的总厚度为所述衬底层的厚度与所述硅片层的厚度之和； 其中，所述第一数值或者所述第二数值满足第一预设条件包括以下任意一项： 所述第一数值等于待研磨硅片的目标厚度He； 所述第二数值等于硅片层的目标光程Ie； 其中，He＝h1-h1-h2i1-i2*i1+Te，Ie＝Te*i1-i2h1-h2； 其中，h1为所述接触式探头在t1时刻探测的第一数值，所述h2为所述接触式探头在t2时刻探测的第一数值； 所述i1为所述非接触式红外探头在t1时刻探测的第二数值；所述i2为所述非接触式红外探头在t2时刻探测的第二数值； Te为目标研磨硅片的硅片层的厚度； 所述t1时刻和所述t2时刻分别为所述硅片层研磨过程中的不同时刻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人法博思(宁波)半导体设备有限公司，其通讯地址为：315000 浙江省宁波市余姚市三七市镇云山中路28号(千人计划产业园内)(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。