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龙图腾网获悉奇异摩尔(上海)集成电路设计有限公司申请的专利一种三维芯片封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116884929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310806526.8，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种三维芯片封装结构及其制造方法是由徐健;田陌晨;温德鑫;祝俊东设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维芯片封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维芯片封装结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述封装结构包括：第一芯片，包括多个第一信号区域和多个热点区域；第二芯片，包括多个第二信号区域，第二信号区域与第一信号区域对应设置；第一连接焊盘，设置在第一信号区域和第二信号上；第二连接焊盘，设置在所述热点区域以及与所述热点区域对应的所述第二芯片上；信号连接柱，设置在所述第一芯片内，并与所述第一连接焊盘连接；散热单元，设置在所述第二芯片上，所述散热单元包括散热连接柱，所述散热连接柱设置在所述第二芯片内，并与所述第二连接焊盘连接。通过本发明提供的三维芯片封装结构及其制造方法，提高三维芯片封装结构的系统集成和散热特性。

本发明授权一种三维芯片封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维芯片封装结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一第一芯片，所述第一芯片包括多个第一信号区域和多个热点区域；所述第一芯片为逻辑芯片、电源芯片或控制芯片； 提供一第二芯片，所述第二芯片包括多个第二信号区域，所述第二信号区域与所述第一信号区域对应设置；所述第二芯片为记忆芯片、CPU芯片或GUP芯片； 在所述第一信号区域和所述第二信号上形成第一连接焊盘； 在所述热点区域以及与所述热点区域对应的所述第二芯片上形成第二连接焊盘； 将所述第一芯片上的所述第一连接焊盘与所述第二芯片上的所述第一连接焊盘电连接，所述第一芯片上的所述第二连接焊盘与所述第二芯片上的所述第二连接焊盘电连接； 所述第二芯片和所述第一芯片采用面对面直接键合并在所述第二芯片和所述第一芯片之间填充塑封基体，将所述第一芯片和所述第二芯片的相对面完全塑封在所述塑封基体内； 减薄所述第一芯片，经过刻蚀和沉积，在所述第一芯片内形成信号连接柱，所述信号连接柱与所述第一连接焊盘连接；所述第一芯片减薄后的衬底厚度为50μm～100μm；在所述信号连接柱上形成金属层和焊球，所述金属层形成在所述信号连接柱远离所述第一连接焊盘的一端，所述焊球形成在所述金属层远离所述信号连接柱的一侧以及 减薄所述第二芯片，经过刻蚀和沉积，在所述第二芯片上形成散热单元，所述散热单元包括散热连接柱，所述散热连接柱设置在所述第二芯片内，并与所述第二连接焊盘连接；所述第二芯片减薄后衬底的厚度为40μm～60μm；所述散热单元还包括导热层，所述导热层连续设置在所述散热连接柱和所述第二芯片远离所述第二连接焊盘的一侧，所述导热层和所述散热连接柱包括金属材料；所述散热连接柱和所述导热层同步形成。

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