湖北九峰山实验室彭若诗获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种极化超结氧化镓器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117393599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311442165.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种极化超结氧化镓器件结构及其制作方法是由彭若诗;徐少东;朱厉阳;李明哲;何俊蕾;郭飞;王宽;袁俊设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种极化超结氧化镓器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种极化超结氧化镓器件结构及其制作方法。该极化超结氧化镓器件结构的沟道区制作有GaNAlxGa1‑xNβ‑Ga2O3异质结，所述GaNAlxGa1‑xNβ‑Ga2O3异质结由依次层叠设置的非故意掺杂β‑Ga2O3外延层、AlxGa1‑xN层和非故意掺杂GaN层形成，其中，0.1≤x≤0.3。通过在沟道区形成GaNAlxGa1‑xNβ‑Ga2O3异质结，引入极化超结PSJ结构，GaNAlxGa1‑xN异质结界面形成2DHG和极化负电荷，AlxGa1‑xNβ‑Ga2O3异质结界面形成极化正电荷和2DEG，在器件关态时，2DHG和2DEG分别从栅极和漏极泄放，只留下AlxGa1‑xN层上界面和下界面的极化固定负电荷和正电荷，整个PSJ区的电场强度变得均匀，从漏极到栅极之间的电场可以被均匀分布，从而缓解了栅边缘电场集中现象，提高HEMT器件击穿电压的同时还能够提高器件的散热性能。
本发明授权一种极化超结氧化镓器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种极化超结氧化镓器件结构，其特征在于，所述器件结构的沟道区制作有GaNAlxGa1-xNβ-Ga2O3异质结，所述GaNAlxGa1-xNβ-Ga2O3异质结由依次层叠设置的非故意掺杂β-Ga2O3外延层、AlxGa1-xN层和非故意掺杂GaN层形成，其中，0.1≤x≤0.3。
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