中广核研究院有限公司刘峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中广核研究院有限公司申请的专利辐射屏蔽高熵合金及其制备方法与应用、辐射屏蔽制品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117758096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311565426.7，技术领域涉及：C22C1/05；该发明授权辐射屏蔽高熵合金及其制备方法与应用、辐射屏蔽制品是由刘峰;李程鑫;蒋丹枫;李利;刘夏杰设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本辐射屏蔽高熵合金及其制备方法与应用、辐射屏蔽制品在说明书摘要公布了：本申请涉及一种辐射屏蔽高熵合金及其制备方法与应用、辐射屏蔽制品。辐射屏蔽高熵合金的制备方法包括以下步骤：将钨单质和硼单质混合后于惰性气体气氛下进行第一烧结，得到钨硼复合物；将钨硼复合物与铝单质、钼单质、铌单质及钛单质混合后进行第二烧结。该制备方法制得的辐射屏蔽高熵合金对中子辐射及γ射线同时具有较好的辐射屏蔽性能，且高温力学性能较好，同时还具有较好的耐磨性能和耐腐蚀性能。
本发明授权辐射屏蔽高熵合金及其制备方法与应用、辐射屏蔽制品在权利要求书中公布了：1.一种辐射屏蔽高熵合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将钨单质和硼单质混合后于惰性气体气氛下进行第一烧结，得到钨硼复合物；及 将所述钨硼复合物与铝单质、钼单质、铌单质及钛单质混合后进行第二烧结； 所述钨单质与所述硼单质的摩尔比为0.5～2.0:1，所述铝单质、所述钼单质、所述铌单质、所述钛单质与所述钨硼复合物的摩尔比为0.8～1.2:0.5～1.0:0.5～1.0:0.8～1.2:1。
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