首都医科大学附属北京天坛医院张雨康获国家专利权
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龙图腾网获悉首都医科大学附属北京天坛医院申请的专利一种压电微机械超声换能器结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117939994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410095441.8，技术领域涉及：H10N30/85；该发明授权一种压电微机械超声换能器结构及其制备方法是由张雨康;何文;张巍;程令刚设计研发完成，并于2024-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电微机械超声换能器结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种压电微机械超声换能器结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该压电微机械超声换能器结构中的压电材料层包括至少一层AlScN层。通过在传统的AlN层中掺杂Sc元素形成AlScN层作为新型的压电材料层，用Sc元素替代AlN层中的Al元素，可明显提升压电材料层的压电系数和机电耦合系数，能够克服AlN层在各种压电应用中的局限性，同时仍然受益于母体材料系统的所有优点，例如高温稳定性、CMOS兼容性和良好的机械性能，进而可提高压电微机械超声换能器结构的灵敏度。
本发明授权一种压电微机械超声换能器结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压电微机械超声换能器结构，其特征在于，所述压电微机械超声换能器结构包括： 衬底，所述衬底为射频SOI衬底； 在第一方向上，依次位于所述衬底一侧的氧化物膜层、第一金属层、压电材料层和第二金属层，所述第一方向垂直于所述衬底所在平面，且由所述衬底指向所述压电材料层； 其中，所述氧化物膜层包括在第一方向上依次层叠设置的M层子氧化物膜层，M≥2，且M为正整数； 所述压电材料层包括在所述第一方向上依次层叠设置的N组交替堆叠的压电膜层，N≥2，且N为正整数，所述交替堆叠的压电膜层包括在所述第一方向上依次层叠设置的AlN层和所述AlScN层，所述AlN层和所述AlScN层的表面是相互接触的。
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