绍兴比亚迪半导体有限公司张敏获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴比亚迪半导体有限公司申请的专利一种晶圆结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223092863U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420391789.7，技术领域涉及：H01L21/78；该实用新型一种晶圆结构是由张敏;司冠一;柯霞设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种晶圆结构晶圆结构包括基底层，所述基底层上设置有至少一个切割道，以将所述基底层分隔出芯片区；所述切割道内设置有阻挡部，所述阻挡部填充至少部分所述切割道。这样，在后续采用酸液进行清洁处理的工艺中，可以采用粘附性较弱的保护膜，例如蓝膜，对晶圆结构的基底层进行包覆，由于阻挡部至少部分填充于切割道，对切割道具有阻挡作用，能够防止酸液从切割道渗入并沿交汇处四散传输至芯片区，避免了酸液对芯片造成腐蚀的问题，改善产品的钻酸情况。无需采用粘附性较强UV膜，避免撕去UV膜时容易粘连在贴膜工具上造成破片，提高了产品的良品率。也无需在较短时间内撕去保护膜，降低工艺要求，减少了生产成本。
本实用新型一种晶圆结构在权利要求书中公布了：1.一种晶圆结构，其特征在于，所述晶圆结构包括基底层，所述基底层上设置有至少一个切割道，以将所述基底层分隔出芯片区； 所述切割道内设置有阻挡部，所述阻挡部填充至少部分所述切割道； 所述切割道的数量为多个，至少两个所述切割道相交，所述切割道相交的位置为交汇处，所述阻挡部设置于所述交汇处。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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