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睿思微系统(烟台)有限公司程川获国家专利权

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龙图腾网获悉睿思微系统(烟台)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118280860B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410373326.2,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由程川;杨天应;闫书萌;陈高鹏设计研发完成,并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体领域,公开了一种半导体器件及其制备方法,器件包括:衬底;位于所述衬底上表面的外延结构层;所述外延结构层中具有二维电子气;位于所述外延结构层上表面的钝化层;所述钝化层具有贯穿钝化层厚度的第一通孔和第二通孔;第二电极以及位于所述第一通孔内的第一电极,所述第二通孔位于所述第二电极和所述第一电极之间。本申请钝化层中第二通孔,第二通孔在第一电极和第二电极之间,阻断钝化层与外延结构层界面处的漏电通道,通过对比本申请中半导体器件与相关技术中没有第二通孔的半导体器件的第一电极和第二电极之间的电特征,可以表征钝化界面的漏电。所以,本申请中的半导体器件可以准确确定出钝化层的影响,且耗时短。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括: 衬底1; 位于所述衬底1上表面的外延结构层2;所述外延结构层2中具有二维电子气4;所述外延结构层中包括GaN帽层; 位于所述外延结构层2上表面的钝化层3;所述钝化层3具有贯穿钝化层3厚度的第一通孔和第二通孔7; 第二电极5以及位于所述第一通孔内的第一电极6,所述第二通孔7位于所述第二电极5和所述第一电极6之间,所述第二通孔7用于将所述第一电极6和所述第二电极5之间的钝化层3断开,阻断所述钝化层3与所述外延结构层2界面处的漏电通道;钝化层3在刻蚀形成第二通孔7的过程中,不同刻蚀深度,直至刻蚀至外延结构层2界面漏电通道被阻断,用来监控钝化层3界面漏电情况及钝化层3材料的漏电情况; 所述第一电极6的数量为两个,两个所述第一电极6为源极和漏极,所述第二电极5为栅极,两个所述第一电极6分别位于所述第二电极5的两侧,且每个第一电极6和第二电极5之间均有第二通孔7; 还包括: 第三通孔,所述第三通孔位于所述钝化层3中且贯穿钝化层3厚度,所述第二电极5位于所述第三通孔中,且所述第二电极5两侧的侧壁与所述钝化层3接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人睿思微系统(烟台)有限公司,其通讯地址为:264006 山东省烟台市经济技术开发区贵阳大街13号1#厂房;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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