武汉理工大学张甜获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种双层缓释抗菌压电复合膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118490868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410491811.X，技术领域涉及：A61L15/18；该发明授权一种双层缓释抗菌压电复合膜及其制备方法和应用是由张甜;张一琳;杨雯越;韦文龙;东蔚然;刘子儒;钟振午;王昕宽;陈翔宇;皮埃尔设计研发完成，并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层缓释抗菌压电复合膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双层缓释抗菌压电复合膜及其制备方法和应用，属于生物医用材料技术领域。该双层缓释抗菌压电复合膜包括压电膜和缓释膜，压电膜和缓释膜经过封装得到双层缓释抗菌压电复合膜；其中，压电膜包括左旋聚乳酸、纳米氧化锌和核黄素；缓释膜包括高分子聚合物层和抗菌性药物层，抗菌性药物层涂覆于高分子聚合物层的表面。本发明中的双层缓释抗菌压电复合膜具有良好的缓释特性、抗菌性、压电性以及生物相容性，并且可以促进血管生成、伤口愈合和减少炎症反应。另外，本发明中的原料生物相容性好、来源广泛、价格低廉、易于获得，并且制备工艺简单，因此，在制备医疗创面修复材料中具有较好的应用前景。
本发明授权一种双层缓释抗菌压电复合膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种双层缓释抗菌压电复合膜，其特征在于，包括压电膜和缓释膜，所述压电膜和所述缓释膜经过封装得到所述双层缓释抗菌压电复合膜； 其中，所述压电膜包括左旋聚乳酸、纳米氧化锌和核黄素； 所述缓释膜包括高分子聚合物层和抗菌性药物层，所述抗菌性药物层涂覆于所述高分子聚合物层的表面； 以质量百分比计，所述左旋聚乳酸的含量为8~15%，所述高分子聚合物层的含量为10~20%；并且在所述压电膜中，所述左旋聚乳酸、所述纳米氧化锌和所述核黄素的质量比为1:（0.02~1）:（0.1~0.5）； 所述高分子聚合物层包括聚醚砜和聚乙烯吡咯烷酮； 所述抗菌性药物层包括聚乳酸羟基乙酸与左氧氟沙星。
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