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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118407132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410531062.9，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法是由胡彦飞;杨宏;马云诚;张鑫鑫;党悦心设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法，包括：获取碳化硅外延片；对碳化硅外延片的Si面进行加热，得到加热后的碳化硅外延片；通入Ar气，并对加热后的碳化硅外延片进行冷却，得到冷却后的碳化硅外延片；对冷却后的碳化硅外延片进行退火处理，得到退火后的碳化硅外延片；对退火后的碳化硅外延片进行表面处理，得到最终的碳化硅外延片。这种方法可以在相对短时间制备得到少子寿命较强的碳化硅外延片，且可以有效降低成本，在不引入其他深能级缺陷的基础上修复碳空位缺陷引起的深能级缺陷，也不会造成晶格损伤，碳化硅外延层中少子寿命分布均匀，从而实现了少子寿命的增强。

本发明授权一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法在权利要求书中公布了：1.一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法，其特征在于，所述方法包括： 获取碳化硅外延片； 在大气压条件下，将电感耦合等离子体加热设备的加热源正对所述碳化硅外延片的Si面，利用等离子体火焰对所述碳化硅外延片的Si面进行加热并屏蔽周围环境中的氧气，得到加热后的碳化硅外延片，其中，在所述碳化硅外延片的Si面的加热过程中，所述碳化硅外延片发生热分解，所述碳化硅外延片中的硅原子升华，并在所述碳化硅外延片的表面形成一层碳薄膜；所述电感耦合等离子体加热方法的加热温度为1100℃以上，射频电源输入功率为900-1200W，等离子体照射所述碳化硅外延片的时间为1-2h；所述电感耦合等离子体加热方法的加热源与所述碳化硅外延片的Si面之间的距离为10-15mm； 通入Ar气，并对所述加热后的碳化硅外延片进行冷却，得到冷却后的碳化硅外延片； 在Ar气体保护下，在1500-1700℃对所述冷却后的碳化硅外延片退火处理30-60min，得到退火后的碳化硅外延片； 对所述退火后的碳化硅外延片进行表面处理，去除所述退火后的碳化硅外延片表面的碳薄膜，得到用于耐压达万伏级双极型器件的碳化硅外延片。

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