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中国科学院上海微系统与信息技术研究所张伟君获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种光纤-波导耦合器及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118655660B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410768252.2,技术领域涉及:G02B6/30;该发明授权一种光纤-波导耦合器及其制作方法是由张伟君;洪逸裕;王钰泽;熊佳敏;陈志刚设计研发完成,并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种光纤-波导耦合器及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种光纤‑波导耦合器及其制作方法,通过将第一多模光纤与高折射率光纤熔接,形成特定尺寸的渐变结构,有效降低了模式转换损耗。同时,通过凹槽技术将经过拉锥处理的高折射率光纤固定于SOI衬底上,实现了高折射率光纤与锥形波导的高精度对准和绝热耦合,显著提升耦合效率和带宽。在1550纳米工作波长下,该光纤‑波导耦合器仿真耦合效率高达99.4%,‑1dB带宽约220纳米。本发明的光纤‑波导耦合器制作工艺简单,成本低,无需昂贵的3D打印技术或波导悬空设计,具有优良的结构稳定性,对位置变化不敏感,且能抵抗机械振动,适用于低温工作环境。

本发明授权一种光纤-波导耦合器及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种光纤-波导耦合器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供一SOI衬底,所述SOI衬底包括自下而上依次叠置的硅衬底、埋氧层及顶层硅层; 图形化所述顶层硅层以得到波导层,所述波导层包括锥形波导; 形成凹槽于所述硅衬底中,至少一所述凹槽位于所述锥形波导的初始端的前方,并与所述锥形波导间隔预设距离; 提供一第一多模光纤和一高折射率光纤,所述高折射率光纤的折射率大于所述埋氧层的折射率; 将所述第一多模光纤的一端与所述高折射率光纤的一端对准熔接,并对熔接后的所述高折射率光纤的预设区段进行拉锥处理,以得到拉锥段,所述拉锥段的直径小于所述高折射率光纤的未拉锥段的直径,所述拉锥段与所述未拉锥段的衔接处构成锥形渐变段,所述锥形渐变段的长度范围是200~250微米,所述拉锥段的直径范围是2~3微米,且所述高折射率光纤与所述第一多模光纤的熔接点包括锥形结构,所述锥形结构的长度的范围是40~100微米; 将所述拉锥段固定于所述锥形波导的上表面,所述锥型渐变段悬空设置于所述凹槽上方,所述未拉锥段的至少一部分固定于所述凹槽的内壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所,其通讯地址为:200050 上海市长宁区长宁路865号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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