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龙图腾网获悉玄武石半导体(武汉)有限公司申请的专利一种U型温度补偿基准电压电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118760328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410828421.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种U型温度补偿基准电压电路是由肖宇驰;王春来设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种U型温度补偿基准电压电路在说明书摘要公布了：本发明涉及了一种U型温度补偿基准电压电路，该U型温度补偿基准电压电路包括正负温度系数电流产生电路、高温度段曲率补偿电流产生电路、低温度段曲率补偿电流产生电路和基准电压产生电路；正负温度系数电流产生电路产生分别具有正温度系数和负温度系数的电流，且输出与高温度段曲率补偿电流产生电路以及低温度段曲率补偿电流产生电路的输入相连接；高温度段曲率补偿电流产生电路以及低温度段曲率补偿电流产生电路能够产生作用于不同温度段的曲率补偿电流，输出电流连接基准电压产生电路的输入；基准电压产生电路将高低温度段曲率补偿电流相加产生U型温度补偿电流对基准电压进行补偿，从而电路能够输出具有低温度相关性的基准电压。

本发明授权一种U型温度补偿基准电压电路在权利要求书中公布了：1.一种U型温度补偿基准电压电路，其特征在于，包括：正负温度系数电流产生电路、高温度段曲率补偿电流产生电路、低温度段曲率补偿电流产生电路、基准电压产生电路；所述正负温度系数电流产生电路模块，用于与所述高温度段曲率补偿电流产生电路、所述低温度段曲率补偿电流产生电路相连接，生成高低温曲率补偿电流中所需的正负温度系数电流；所述高温度段曲率补偿电流产生电路的输出端与所述基准电压产生电路的第一输入端相连接，用于产生作用于高温度段的曲率补偿电流；所述低温度段曲率补偿电流产生电路的输出端与所述基准电压产生电路的第二输入端相连接，用于产生作用于低温度段的曲率补偿电流；所述基准电压产生电路通过高低温度段曲率补偿电流相加产生U型温度补偿电流对基准电压进行补偿，以在输出端产生具有低温漂特性的基准电压；所述正负温度系数电流产生电路模块包括PMOS管MI1、PMOS管MI2、PMOS管MI3、PMOS管MI4、PMOS管MI5、PMOS管MI6、PMOS管MI7、PMOS管MI8、PMOS管MI9、PMOS管MI10、电阻RI1、电阻RI2、运算放大器A1、运算放大器A2、PNP管QI1、PNP管QI2；所述PMOS管MI1的源极、所述PMOS管MI2的源极、所述PMOS管MI3的源极、所述PMOS管MI4的源极、所述PMOS管MI5的源极、所述PMOS管MI6的源极、所述PMOS管MI7的源极、所述PMOS管MI8的源极、所述PMOS管MI9的源极、所述PMOS管MI10的源极与电源VDD相连，所述PMOS管MI1的漏极输入启动电流Istart，所述PMOS管MI1的栅极与所述PMOS管MI2的栅极、所述PMOS管MI3的漏极相连，所述PMOS管MI3的栅极与所述PMOS管MI4的栅极、所述PMOS管MI5的栅极、所述PMOS管MI6的栅极、所述PMOS管MI7的栅极、所述运算放大器A1的输出端相连，所述PMOS管MI4的漏极输出第一输出电流IPTAT1，所述PMOS管MI5的漏极输出第二输出电流IPTAT2，所述PMOS管MI6的漏极与所述运算放大器A1的正输入端电阻RI1的一端相连接，电阻RI1的另一端与所述PMOS管MI2的漏极、所述PNP管QI1的发射极相连接，所述PMOS管MI7的漏极与所述运算放大器A1的负输入端、所述运算放大器A2的负输入端、所述PNP管QI2的发射极相连接，所述PNP管QI1的基极、所述PNP管QI1的集电极、所述PNP管QI2的基极、所述PNP管QI2的集电极接地，所述PMOS管MI8的栅极与所述PMOS管MI9的栅极、所述PMOS管MI10的栅极、所述运算放大器A2的输出端相连，所述PMOS管MI8的漏极与所述运算放大器A2的正输入端、所述电阻RI2的一端相连接，所述电阻RI2的另一端接地，所述PMOS管MI9的漏极输出第三输出电流ICTAT1，所述PMOS管MI10的漏极输出第四输出电流IPTAT2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人玄武石半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武昌区中南路街道武珞路628号亚贸广场A座17层1-9号手拍手孵化器F116号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。