台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体元件与半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223094108U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421548560.6，技术领域涉及：H10B41/30；该实用新型记忆体元件与半导体装置是由廖诗瑀;程仲良设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体元件与半导体装置在说明书摘要公布了：本揭露提供记忆体元件与半导体装置。在一个示例中，记忆体元件包括电容器和以紧凑配置堆叠在电容器上方的晶体管。电容器包括浮动栅极、高k介电质层以及金属栅极。金属栅极从第一侧壁水平延伸至第二侧壁并且从底表面垂直延伸至顶表面。晶体管包括金属栅极和设置在金属栅极上的栅极介电质层。栅极介电质层包括分别设置在金属栅极的两个侧壁上的两个侧部以及设置在金属栅极的顶面上的顶部。晶体管还包括分别形成在栅极介电质层的两侧部分上的两个独立的SD区域以及形成在栅极介电质层的顶部上的通道区域。
本实用新型记忆体元件与半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种记忆体元件，其特征在于，包括： 一电容器，包括： 一浮动栅极； 一高k介电质层，设置在该浮动栅极上并与该浮动栅极接触；及 一金属栅极，设置在该高k介电质层上并与该高k介电质层接触，该金属栅极从一第一侧壁水平延伸至一第二侧壁，并从一底面垂直延伸至一顶表面；及 一晶体管，堆叠在该电容器上；其中该晶体管包括： 该金属栅极； 一栅极介电质层，设置在该金属栅极上，该栅极介电质层包括分别设置在金属栅极的该第一侧壁与该第二侧壁上的两侧部以及设置在该金属栅极的该顶表面上的一顶部； 两个独立的源极漏极区域，分别形成在该栅极介电质层的该两侧部上； 一通道区域，形成在该栅极介电质层的该顶部；及 两个独立的源极漏极电极，分别设置在该两源极漏极区域上。
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