台湾积体电路制造股份有限公司王茂南获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223092880U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421862112.3，技术领域涉及：H01L23/48；该实用新型半导体装置是由王茂南;杨芷欣;王良玮;陈殿豪设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：此处提供具有虚置区的半导体装置，且虚置区具有不同横向尺寸的虚置填充结构。半导体装置可包括穿硅通孔延伸穿过半导体装置的基板；主动装置位于基板之中或之上；以及基板的虚置区，分开穿硅通孔与主动区，虚置区包括多个虚置填充结构，其中虚置填充结构在自穿硅通孔至主动区的第一方向中具有横向尺寸，其中虚置填充结构在第一方向中的横向尺寸不同。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一穿硅通孔，延伸穿过该半导体装置的一基板； 一主动装置，位于该基板之中或之上；以及 该基板的一虚置区，分开该穿硅通孔与该主动装置，该虚置区包括多个虚置填充结构，其中该些虚置填充结构在自该穿硅通孔至该主动装置的一第一方向中具有横向尺寸，其中该虚置区中的一第一虚置填充结构的横向尺寸不同于一第二虚置填充结构的横向尺寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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