长沙市全博电子科技有限公司王成获国家专利权
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龙图腾网获悉长沙市全博电子科技有限公司申请的专利一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223093947U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421892695.4，技术领域涉及：H05K1/02；该实用新型一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构是由王成;李麟设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构，包括设置在电路板本体上的多个焊盘组，每个DDR焊盘组包括多个表贴焊盘，外侧的表贴焊盘的第一扇出孔位于DDR焊盘组外，内部的表贴焊盘的第二扇出孔位于DDR焊盘组内，且内部的表贴焊盘的第二扇出孔错位排布，使得第二扇出孔与相邻的第二扇出孔之间的中心间距不小于1.3mm。本实用新型通过改进DDR芯片的DDR焊盘组的打孔方式，拉大DDR芯片组的相邻的第一扇出孔和第二扇出孔的孔盘和孔盘之间的间距，间距变大后，使两孔之间的内层走线可以保持40Ω阻抗信号连接到DDR芯片上面，DDR走线信号质量最佳，还可以有效改善DDR芯片的加工难度。
本实用新型一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构在权利要求书中公布了：1.一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构，其特征在于，包括设置在电路板本体上的多个呈阵列分布的DDR焊盘组，每个所述DDR焊盘组包括多个阵列分布的表贴焊盘，外侧的所述表贴焊盘的第一扇出孔位于所述DDR焊盘组外，内部的所述表贴焊盘的第二扇出孔位于所述DDR焊盘组内，且内部的所述表贴焊盘的第二扇出孔错位排布，使得第二扇出孔与相邻的第二扇出孔之间的中心间距不小于1.3mm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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