上海原力芯辰科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉上海原力芯辰科技有限公司申请的专利一种ALD装置及半导体设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223087911U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421987175.1,技术领域涉及:C23C16/455;该实用新型一种ALD装置及半导体设备是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ALD装置及半导体设备在说明书摘要公布了:本实用新型提供了一种ALD装置及半导体设备,涉及半导体技术领域。ALD装置包括托盘以及喷淋面板。托盘用于承载基底,喷淋面板与托盘相对设置,喷淋面板设置有第一进气区域、第二进气区域和隔离区域,隔离区域位于第一进气区域和第二进气区域之间,第一进气区域用于向托盘上的基底喷射金属源,第二进气区域用于向托盘上的基底喷射氧源,隔离区域用于向托盘上的基底喷射惰性气源,可以杜绝金属源和氧源在有效沉积区域的直接接触而产生的CVD反应,从而有效提高ALD工艺时的膜厚均匀性和膜层质量。
本实用新型一种ALD装置及半导体设备在权利要求书中公布了:1.一种ALD装置,其特征在于,包括: 托盘100,所述托盘100用于承载基底; 喷淋面板200,所述喷淋面板200与所述托盘100相对设置,所述喷淋面板200设置有第一进气区域210、第二进气区域220和隔离区域,所述隔离区域位于所述第一进气区域210和第二进气区域220之间,所述第一进气区域210用于向所述托盘100上的所述基底喷射金属源,所述第二进气区域220用于向所述托盘100上的所述基底喷射氧源,所述隔离区域用于向所述托盘100上的所述基底喷射惰性气源。
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