鲁东大学刘志宇获国家专利权
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龙图腾网获悉鲁东大学申请的专利基于SOI衬底的贯穿式三维准半球型电极探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223094119U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422085017.3，技术领域涉及：H10F39/12；该实用新型基于SOI衬底的贯穿式三维准半球型电极探测器是由刘志宇;李正;朱旭然;谭泽文;孙佳雄;李晓丹设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于SOI衬底的贯穿式三维准半球型电极探测器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了基于SOI衬底的贯穿式三维准半球型电极探测器，包括：基体，基体形状为立方体，基体上表面中心为中央阳极；中央阳极上表面覆盖阳极铝电极接触层；基体上表面未覆盖阳极铝电极接触层处覆盖上表面SiO2层；基体底部设置SOI衬底重掺杂层，SOI衬底重掺杂层下部设有衬底；SOI衬底重掺杂层与衬底之间设置中间SiO2层；基体四个侧面与相邻的基体之间的沟槽构成沟槽壁；SOI衬底重掺杂层与沟槽壁构成阴极；相邻的基体之间的沟槽表面覆盖阴极铝电极接触层；衬底底面覆盖底面SiO2层。以解决现有技术中未刻蚀区域存在的低电场区及零电场区的问题，同时提高了电荷收集性能，增大了探测器有效体积。
本实用新型基于SOI衬底的贯穿式三维准半球型电极探测器在权利要求书中公布了：1.基于SOI衬底的贯穿式三维准半球型电极探测器，包括：基体（4），其特征在于，基体（4）形状为立方体，基体（4）上表面中心为中央阳极（2）；中央阳极（2）上表面覆盖阳极铝电极接触层（1）；基体（4）上表面未覆盖阳极铝电极接触层（1）处覆盖上表面SiO2层（3）；基体（4）底部设置SOI衬底重掺杂层（9），SOI衬底重掺杂层（9）下部设有衬底（10）；SOI衬底重掺杂层（9）与衬底（10）之间设置中间SiO2层（7）；基体（4）四个侧面与相邻的基体（4）之间的沟槽构成沟槽壁（5）；SOI衬底重掺杂层（9）与沟槽壁（5）构成阴极；相邻的基体（4）之间的沟槽表面覆盖阴极铝电极接触层（6）；衬底（10）底面覆盖底面SiO2层（8）。
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