买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海芯钬量子科技有限公司申请的专利一种提高TFT半导体器件设计效率的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119358495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411438842.5，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种提高TFT半导体器件设计效率的方法及装置是由杜予诺;盛阳;夏长生;杨猛;沈斯杰;曹雅婧;武二恒;陈子张设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高TFT半导体器件设计效率的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件设计与仿真技术领域，提供了一种提高TFT半导体器件设计效率的方法及装置。本方法包括以下步骤：S1：获取TFT半导体器件的几何模型的设计数据，该模型包括若干器件组件的几何模型；S2：对每个器件组件的几何模型分别赋予边界条件、材料属性以及网格生成控制参数；S3：对几何模型进行初步处理，获得基底网格；S4：根据生成的基底网格和几何模型的参数生成粗网格；S5：对粗网格中出现小角度的区域采用同心壳层分割策略来进行网格细化，生成细网格；S6：将生成的细网格输入器件仿真求解器进行求解，根据求解结果调整设计数据。本方法通过精细的网格划分与优化的仿真流程，提高设计效率，显著缩短了设计周期。

本发明授权一种提高TFT半导体器件设计效率的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种提高TFT半导体器件设计效率的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：获取TFT半导体器件的几何模型的设计数据，所述TFT半导体器件的几何模型包括若干器件组件的几何模型； S2：对每个所述器件组件的几何模型分别赋予边界条件、材料属性以及几何模型网格生成控制参数； S3：对所述TFT半导体器件的几何模型进行初步处理，获得基底网格； S4：根据生成的所述基底网格和所述TFT半导体器件的几何模型的所述边界条件、材料属性、网格生成控制参数生成所述TFT半导体器件的粗网格； S5：对所述粗网格中出现小角度的区域采用同心壳层分割策略来进行网格细化，生成细网格；所述同心壳层分割策略为：当线网格中小角度网格区域的一条边与另一条边以小于90°的角度相接时，选择以共享顶点为中心的某个圆形壳层作为分割点，这些圆形壳层的半径是2的幂次方；而当线网格中的一条边与另一条边相接角度大于90°时，不做分割； S6：将生成的所述细网格输入器件仿真求解器进行求解，根据求解结果调整所述TFT半导体器件的设计数据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海芯钬量子科技有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张衡路200号2幢3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。