中国科学技术大学;合肥国家实验室苏红获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学;合肥国家实验室申请的专利一种超导量子芯片的键合封装阻抗匹配装置及量子处理器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119485901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411521411.5，技术领域涉及：H05K1/02；该发明授权一种超导量子芯片的键合封装阻抗匹配装置及量子处理器是由苏红;朱庆玲;杨威风;郭少俊;邓辉;彭承志;朱晓波;潘建伟设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导量子芯片的键合封装阻抗匹配装置及量子处理器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超导量子芯片的键合封装阻抗匹配装置及量子处理器，涉及超导量子技术领域，包括PCB板、键合线和芯片，PCB板和芯片中均设置焊盘对地电容；PCB板的传输线与芯片的传输线通过键合线连接，键合线作为电感与两个焊盘对地电容形成低通滤波器，以减少键合线处的反射率；两个焊盘对地电容独立设置，分别通过改变焊盘形状以调整电容大小；该键合封装阻抗匹配装置及量子处理器解决了芯片封装处的反射问题；同时不需要引入外部贴片电容和额外增加匹配线路，因此极大节省了芯片和PCB板空间。
本发明授权一种超导量子芯片的键合封装阻抗匹配装置及量子处理器在权利要求书中公布了：1.一种超导量子芯片的键合封装阻抗匹配装置，其特征在于，包括PCB板（3）、键合线（2）和芯片（1），PCB板（3）和芯片（1）中均设置焊盘对地电容； PCB板（3）的传输线与芯片（1）的传输线通过键合线（2）连接，键合线（2）作为电感与两个焊盘对地电容形成低通滤波器，以减少键合线（2）处的反射率； 焊盘对地电容具体为芯片焊盘对地电容（4）和PCB焊盘对地电容（5），芯片焊盘对地电容（4）、键合线（2）、PCB焊盘对地电容（5）形成C-L-C结构； 当键合线（2）和PCB焊盘对地电容（5）固定时，通过改变芯片（1）上的焊盘与地面之间间距gap大小改变芯片焊盘对地电容（4）； 当键合线（2）和芯片焊盘对地电容（4）固定时，通过改变PCB板（3）上的焊盘与地面之间间距gap大小改变PCB焊盘对地电容（5）。
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