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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种低功耗大压摆率的折叠共源共栅结构运算放大电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119448942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411566568.X，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权一种低功耗大压摆率的折叠共源共栅结构运算放大电路是由王靖;王俣恒;熊凌霄设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗大压摆率的折叠共源共栅结构运算放大电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路领域，提供一种低功耗大压摆率的折叠共源共栅结构运算放大电路，用以解决现有技术存在的压摆率低、功耗高等问题；本发明包括：电流源I0～I4、晶体管M1～M14、电阻R1、负载电容CL，在传统折叠共源共栅结构的基础上，引入晶体管M4、M7、M8构成的翻转电压跟随器差分结构DFVF，晶体管M3、M4、M8构成的翻转电压跟随器电流传感器FVFCS，以及晶体管M14、电流源I4构成的源极跟随器；利用DFVF提升负转换阶段负载电容放电电流，同时，利用FVFCS提升正转换阶段负载电容充电电流，从而大幅提升运算放大电路的压摆率，在此情况下，差分输入的尾电流大小最大能够达到中间级电流大小的一百倍以上，从而显著降低运算放大电路的功耗。

本发明授权一种低功耗大压摆率的折叠共源共栅结构运算放大电路在权利要求书中公布了：1.一种低功耗大压摆率的折叠共源共栅结构运算放大电路，包括：电流源I0～I4、晶体管M1～M14、电阻R1、负载电容CL；其特征在于： 晶体管M1的栅极连接至同相输入端VIN+，晶体管M2的栅极连接至反相输入端VIN-；晶体管M1的源极、晶体管M2的源极相连，电流源I0连接于晶体管M1的源极与正电源轨之间；晶体管M1的漏极、晶体管M3的漏极、晶体管M5的源极、晶体管M6的源极相连； 晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M7的源极、晶体管M8的源极相连，晶体管M3的源极、晶体管M4的源极均连接至负电源轨，晶体管M3的栅极、晶体管M4的栅极、晶体管M8的漏极相连，电流源I3连接于晶体管M8的漏极与正电源轨之间； 晶体管M5的栅极、晶体管M8的栅极、晶体管M9的栅极相接，晶体管M9的漏极与栅极相连，电流源I1连接于晶体管M9的漏极与正电源轨之间，电阻R1连接于晶体管M9的栅极与负电源轨之间；晶体管M5的漏极、晶体管M10的栅极、晶体管M11的栅极、晶体管M12的漏极、晶体管M14的栅极相连； 晶体管M12的栅极、晶体管M13的栅极、晶体管M14的源极相连，电流源I4连接于晶体管M14的源极与负电源轨之间；晶体管M10的源极、晶体管M11的源极、晶体管M14的漏极均连接至正电源轨，晶体管M10的漏极、晶体管M12的源极相连，晶体管M11的漏极、晶体管M13的源极相连； 晶体管M6的栅极、晶体管M7的栅极，晶体管M6的漏极与栅极相连，电流源I1连接于晶体管M6的栅极与正电源轨之间；晶体管M7的漏极、晶体管M13的漏极相连，并连接至输出电压端Vout，负载电容CL连接于输出电压端Vout与负电源轨之间。

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