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龙图腾网获悉南京原磊纳米材料有限公司申请的专利一种用于高深宽比结构器件的原子层沉积镀膜方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411576413.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种用于高深宽比结构器件的原子层沉积镀膜方法及系统是由郑锦;时秋伟;张博设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高深宽比结构器件的原子层沉积镀膜方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，本申请提供一种用于高深宽比结构器件的原子层沉积镀膜方法及系统，该系统包括反应腔、与反应腔连接的真空泵、增压气体管路以及载气管路；在反应腔与真空泵的连接管路上设有第一阀门，在与反应腔连接的增压气体管路上设有第二阀门；载气管路上设有第五阀门，载气管路分别连接存储有反应前驱体的第一源瓶和第二源瓶，第一源瓶与载气管路的连接管路上设置有第三阀门，第二源瓶与载气管路的连接管路上设置有第四阀门。通过调节第一阀门和第二阀门开合，使增压气体进入反应腔，使得反应腔的压力增加和减少，使反应前驱体快速进入高深宽比结构器件的深孔沟道并有效吸附于高深宽比结构器件内。

本发明授权一种用于高深宽比结构器件的原子层沉积镀膜方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于高深宽比结构器件的原子层沉积镀膜方法，其特征在于，所述用于高深宽比结构器件的原子层沉积镀膜方法包括： 将高深宽比结构器件置于反应腔内，并将所述反应腔抽至低真空状态； 向所述反应腔内通入第一反应前驱体，并在所述第一反应前驱体的通入时间达到第一时间时，停止通入所述第一反应前驱体； 对所述反应腔进行增压扩散处理，在所述增压扩散处理的时间达到第二时间时停止所述增压扩散处理并将所述反应腔抽回至低真空状态； 向所述反应腔内通入第二反应前驱体，并在所述第二反应前驱体的通入时间达到第三时间时，停止通入所述第二反应前驱体； 对所述反应腔进行增压扩散处理，在所述增压扩散处理的时间达到第二时间时停止所述增压扩散处理并将所述反应腔抽回至低真空状态，完成对高深宽比结构器件表面的镀膜； 其中，对所述反应腔进行增压扩散处理，在所述增压扩散处理的时间达到第二时间时停止所述增压扩散处理并将所述反应腔抽回至低真空状态包括： 向所述反应腔通入流量恒定的增压气体并同时对所述反应腔停止抽真空，在所述增压气体通入的时间或者对所述反应腔停止抽真空的时间达到第二时间时停止通入所述增压气体并继续对所述反应腔抽真空直至将所述反应腔抽回至低真空状态； 或者， 使向所述反应腔通入的增压气体量与对所述反应腔的抽气量呈反向周期性变化，在所述反向周期性变化的时间达到第二时间时停止所述反向周期性变化并将所述反应腔抽回至低真空状态。

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