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龙图腾网获悉江苏帝奥微电子股份有限公司申请的专利一种适用于高压LDO的快速放电电路及其放电方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119134876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411620999.X，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权一种适用于高压LDO的快速放电电路及其放电方法是由秦梦莹;徐飞设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于高压LDO的快速放电电路及其放电方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于高压LDO的快速放电电路及其放电方法，包含PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、电流源I0和齐纳二极管Z2，PMOS管M1、M2和M3的源极连接输入电源Vin，PMOS管M1、M2和M3构成电流镜，NMOS管M4的漏极和NMOS管M6构成电流镜，输入信号EN控制NMOS管M7，齐纳二极管Z2对NMOS管M5的栅极电压进行限制。本发明能够以较小的关断电流和简单的电路结构实现在高压LDO关断状态下对输出信号Vout的快速放电功能。

本发明授权一种适用于高压LDO的快速放电电路及其放电方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于高压LDO的快速放电电路，其特征在于：包含PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、电流源I0和齐纳二极管Z2，PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极和PMOS管M3的源极连接输入电源Vin，PMOS管M1的栅极与PMOS管M1的漏极、电流源I0的一端、PMOS管M2的栅极和PMOS管M3的栅极连接，PMOS管M2的漏极与NMOS管M4的漏极、NMOS管M4的栅极和NMOS管M6的栅极连接，PMOS管M3的漏极与NMOS管M6的漏极、齐纳二极管Z2的阴极和NMOS管M5的栅极连接，NMOS管M6的源极与NMOS管M7的漏极连接，NMOS管M7的栅极连接输入信号EN，NMOS管M5的漏极连接输出信号Vout，电流源I0的另一端、NMOS管M4的源极、NMOS管M7的源极、齐纳二极管Z2的阳极和NMOS管M5的源极接地，其中NMOS管M6的下拉能力强于PMOS管M3的上拉能力；当输入信号EN为高电平时，高压LDO处于正常工作状态，NMOS管M5处于关断状态，对输出信号Vout无影响，输出信号Vout正常输出，当输入信号EN为低电平时，高压LDO处于关断状态，NMOS管M5处于开启状态，为高压LDO的输出信号Vout在电路关断状态下提供快速放电通路。

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