中晶新源(上海)半导体有限公司黄传连获国家专利权
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龙图腾网获悉中晶新源(上海)半导体有限公司申请的专利一种MOSFET单元、桥式电路及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119696561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411762679.8，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种MOSFET单元、桥式电路及制备方法是由黄传连;刘科科;钟义栋;董云设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET单元、桥式电路及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOSFET单元、桥式电路及制备方法，该MOSFET单元，包括：MOSFET，包括有源区、Gate引出区和Gatepad区；和RC电路，用于消除振铃信号；所述RC电路包括第一端和第二端，所述第一端与所述MOSFET的栅极连接，所述第二端与所述MOSFET的源极连接；所述RC电路设置于所述MOSFET的Gatepad区。本申请降低了上下两MOSFET同时导通的概率。
本发明授权一种MOSFET单元、桥式电路及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET单元，其特征在于，包括： MOSFET，包括有源区、Gate引出区和Gatepad区；和 RC电路，用于消除振铃信号； 所述RC电路包括第一端和第二端，所述第一端与所述MOSFET的栅极连接，所述第二端与所述MOSFET的源极连接； 所述RC电路集成在所述MOSFET的Gatepad区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中晶新源(上海)半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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