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龙图腾网获悉陕西中科天地航空模块有限公司申请的专利一种防倒灌MOS开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119324621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411874158.1，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种防倒灌MOS开关电路是由王学睿;段承成设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防倒灌MOS开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种防倒灌MOS开关电路，包括MOS管、防倒灌电压比较电路、开关电路、滤波稳压电路和保护电路，MOS管的源极与防倒灌电压比较电路的第二输入端、开关电路的第二输入端、滤波稳压电路的第二输入端、保护电路的第一输入端共同连接；MOS管的漏极与防倒灌电压比较电路的第一输入端、保护电路的第二输入端共同连接，MOS管的栅极与滤波稳压电路的第一输出端、保护电路的第一输出端共同连接；防倒灌电压比较电路的第一输出端连接开关电路的第一输入端；驱动电压连接防倒灌电压比较电路的第三输入端、滤波稳压电路的第三输入端与保护电路的第三输入端。本发明能够有效防止电流或电压倒灌而引起的电路内部元器件损坏。

本发明授权一种防倒灌MOS开关电路在权利要求书中公布了：1.一种防倒灌MOS开关电路，其特征在于，包括MOS管（1）、防倒灌电压比较电路（2）、开关电路（3）、滤波稳压电路（4）和保护电路（5），其中： MOS管（1）的源极与防倒灌电压比较电路（2）的第二输入端、开关电路（3）的第二输入端、滤波稳压电路（4）的第二输入端、保护电路（5）的第一输入端共同连接；MOS管（1）的漏极与所述防倒灌电压比较电路（2）的第一输入端、保护电路（5）的第二输入端共同连接，MOS管（1）的栅极与所述滤波稳压电路（4）的第一输出端、保护电路（5）的第一输出端共同连接；防倒灌电压比较电路（2）的第一输出端连接开关电路（3）的第一输入端；驱动电压VDDIsoMOS分别连接防倒灌电压比较电路（2）的第三输入端、滤波稳压电路（4）的第三输入端与保护电路（5）的第三输入端；开关电路（3）的第一输出端连接滤波稳压电路（4）的第一输入端； 所述防倒灌电压比较电路（2）包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R29、电阻R30和电阻R38；其中，三极管Q1的发射极与三极管Q1的基极、三极管Q2的基极、电阻R29一端共同连接；三极管Q2的集电极与电阻R30一端连接，该连接的端点作为防倒灌电压比较电路（2）的第一输出端连接开关电路（3）的第一输入端；电阻R29另一端与电阻R30另一端连接，该连接的端点作为防倒灌电压比较电路（2）的第三输入端与滤波稳压电路（4）的第三输入端、保护电路（5）的第三输入端共同连接驱动电压VDDIsoMOS；三极管Q2的发射极连接电阻R38一端；三极管Q1的集电极作为防倒灌电压比较电路（2）的第一输入端连接MOS管（1）的漏极；电阻R38另一端作为防倒灌电压比较电路（2）的第二输入端，与MOS管（1）的源极、开关电路（3）的第二输入端、滤波稳压电路（4）的第二输入端和保护电路（5）的第一输入端共同连接； 所述保护电路（5）包括电压比较器U1和三极管Q16；其中，电压比较器U1的1引脚连接三极管Q16的基极，电压比较器U1的2引脚作为电压比较器的电能输入端与滤波稳压电路（4）的第三输入端、防倒灌电压比较电路（2）的第三输入端共同连接驱动电压VDDIsoMOS；电压比较器U1的3引脚作为保护电路（5）的第二输入端与所述MOS管（1）的漏极、防倒灌电压比较电路（2）的第一输入端共同连接；电压比较器U1的4引脚作为保护电路（5）的第一输入端与MOS管（1）的源极、防倒灌电压比较电路（2）的第二输入端、开关电路（3）的第二输入端、滤波稳压电路（4）的第二输入端共同连接；比较器U1的5引脚与三极管Q16的发射极共同连接MOS管（1）的源极，三极管Q16集电极作为保护电路（5）的第一输出端与MOS管（1）的栅极、滤波稳压电路（4）的第一输出端共同连接。

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