甬江实验室宓晓宇获国家专利权
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龙图腾网获悉甬江实验室申请的专利半导体结构及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411991474.7，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体结构及其制备方法、芯片是由宓晓宇;高桥岳雄设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片，涉及半导体技术领域，旨在降低工艺难度。该半导体结构的制备方法包括：采用溅射工艺，在衬底上形成第一电极；在第一电极远离衬底的一侧形成电介质层；在电介质层远离衬底的一侧形成第二电极；其中，在形成第一电极的过程中，对衬底进行加热，并对衬底施加直流偏置电压或射频偏置功率；衬底的加热温度范围为50℃~400℃，直流偏置电压在‑500V~+150V的范围内变化或射频偏置功率在50w~400w的范围内变化。上述半导体结构可应用于存储器芯片或传感器芯片中，存储器芯片可以为非易失性存储器，传感器芯片可以为微机电系统压力传感器。
本发明授权半导体结构及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 采用溅射工艺，在衬底上形成第一电极； 在所述第一电极远离所述衬底的一侧形成电介质层； 在所述电介质层远离所述衬底的一侧形成第二电极； 其中，在形成所述第一电极的过程中，对所述衬底进行加热，并对所述衬底施加直流偏置电压或射频偏置功率； 所述衬底的加热温度范围为50℃～400℃，所述直流偏置电压在-500V～+150V的范围内进行正负值的动态切换或所述射频偏置功率在50w～400w的范围内进行动态变化。
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