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龙图腾网获悉博越微电子(江苏)有限公司申请的专利一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119416731B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510027159.0，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统是由陈苗苗;刘德启设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统，包括建立所有生成掩膜层的金属层和通孔的电学连接关系，排除系统辅助层，定义为双向连接关系；在进行版图检测时，定义检查规则，筛选出边缘距离为零且没有建立电学连接的区域，再定位到多晶硅栅两端都接线的区域；本发明通过建立金属层与通孔的双向电学连接并排除非电学层，确保信号有效传递，结合DRC和信号完整性分析，验证并优化连接设计，单向连接规则防止反向电流和噪声干扰，Flood‑fill算法快速识别未连接栅极区域，从而提高电路性能和可靠性。

本发明授权一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种版图中多晶硅栅的检测方法，其特征在于：包括如下步骤： 建立所有生成掩膜层的金属层和通孔的电学连接关系，排除系统辅助层，定义为双向连接关系，其中，双向连接关系表示为第一金属层与第四金属层互相连通； 根据金属层和通孔的电学连接关系，建立第一金属层和栅极多晶硅电学连接关系，定义第一金属层和栅极多晶硅两个对象之间为单向连接规则； 在进行版图检测时，定义检查规则，定义栅极多晶硅为shape1，并将栅极多晶硅与第一金属层重叠且存在通孔的位置定义为shape2，通过测量shape1与shape2之间的边缘距离，筛选出边缘距离为零且没有建立电学连接的区域，再定位到栅极多晶硅两端都接线的区域； 其中，在定义第一金属层和栅极多晶硅两个对象之间为单向连接规则之后，通过Flood-fill算法来检测和识别版图中的互联区域，具体包括： 在版图中识别和标记所有已知的连接点，并作为Flood-fill算法的起始点； 从已知连接点开始，应用Flood-fill算法，递归地填充所有相连的区域，标记出所有与起始点电学上相连的区域； 通过邻域搜索，递归地扩展连接区域，检查每个栅极是否与已知连接点相连，快速识别出没有通过通孔与第一金属层建立电学连接的栅极区域。

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