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龙图腾网获悉深圳市驭能科技有限公司申请的专利一种高磁导率纳米晶磁芯的制备方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510092916.2，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种高磁导率纳米晶磁芯的制备方法及设备是由李豪滨;罗世欢;李宋林设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高磁导率纳米晶磁芯的制备方法及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高磁导率纳米晶磁芯的制备方法及设备，涉及磁芯制造技术领域，该磁芯的制备设备包括生磁热处理机构和托料机构，生磁热处理机构用于对磁芯进行磁场热处理；设置在托盘上的托料机构包括基座、料杆和间隔组件，基座上的料杆用于套接有隔板和待热处理的磁芯，且磁芯的上下侧均设置有隔板，间隔组件中成对设置的摆杆对称分布在料杆的两侧，且料杆单侧的摆杆数量与磁芯的数量一致，每个摆杆上设置的调距组件的输出端远离摆杆的一侧设置；当多个摆杆依次由初始位置摆动至终止位置时，调距组件的输出端伸入至相邻隔板之间的位置，使多个磁芯依次托起；该磁芯的制备设备避免磁芯堆叠紧挨，实现磁芯受热均匀。

本发明授权一种高磁导率纳米晶磁芯的制备方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种高磁导率纳米晶磁芯的制备设备，其特征在于，包括： 生磁热处理机构（1），所述生磁热处理机构（1）用于对待处理的磁芯（4）进行磁场热处理； 托料机构（6），所述托料机构（6）设置在托盘（5）上，托料机构（6）包括基座（61）、料杆（63）和间隔组件（60），所述基座（61）远离托盘（5）的一侧设置料杆（63），料杆（63）上用于套接有隔板（6456）和待热处理的磁芯（4），且磁芯（4）的上下侧均设置有隔板（6456），所述间隔组件（60）设置在基座（61）上，间隔组件（60）包括摆位驱动件、摆杆（605）和调距组件（607），所述摆位驱动件的输出端与摆杆（605）传动连接，其中，成对设置的摆杆（605）对称分布在料杆（63）的两侧，且料杆（63）单侧的摆杆（605）数量与磁芯（4）的数量一致，每个所述摆杆（605）朝向料杆（63）的一侧分别设置有调距组件（607），所述调距组件（607）的输出端远离摆杆（605）的一侧设置； 当在摆位驱动件的驱动下，所述摆杆（605）由初始位置摆动至终止位置时，所述调距组件（607）的输出端伸入至相邻隔板（6456）之间的位置，并与上方的隔板（6456）抵接上推位于上方的隔板（6456）朝远离基座（61）的一侧移动，其中，沿料杆（63）的延伸方向且远离基座（61）的方向上，多个所述摆杆（605）依次摆动至终止位置，使多个磁芯（4）依次托起； 所述调距组件（607）包括套筒（6071）、滑杆（6076）、第一弹簧（6075）、楔块（6074）、抵接杆（6073）和第一连接杆（6072），所述摆杆（605）朝向料杆（63）的一侧固定设置有套筒（6071），所述滑杆（6076）的一端滑动连接在套筒（6071）的内腔中，滑杆（6076）的另一端贯穿至套筒（6071）外并固定连接有楔块（6074），所述滑杆（6076）上套接有第二弹簧（6459），楔块（6074）外端转动连接有抵接杆（6073），抵接杆（6073）朝向料杆（63）的外侧为圆弧凸面，所述抵接杆（6073）的内侧转动连接有第一连接杆（6072），第一连接杆（6072）远离抵接杆（6073）的一端转动连接在套筒（6071）上； 所述隔板（6456）远离抵接的磁芯（4）的一端边缘位置设置有楔面，当摆杆（605）位于终止位置时，所述楔块（6074）与位于下方的隔板（6456）的楔面摩擦抵接，所述抵接杆（6073）的圆弧凸面与位于上方的隔板（6456）的楔面摩擦抵接。

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