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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利一种谐振滤波器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119853629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510323815.1，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种谐振滤波器及其制造方法是由胡威威;邹洁;冯端设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种谐振滤波器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开了一种谐振滤波器及其制造方法，其中制造方法包括：依次层叠制作第一电极结构、压电结构、第二电极结构。在第二电极结构上开设第一缺口。在第二电极结构上制作第一支撑块和第二支撑块，第一支撑块位于第二电极上，第二支撑块位于相邻的两个第二电极之间。在支撑块背离压电结构的一侧制作阻刻结构，压电结构与阻刻结构的材质不相同，第一电极结构与阻刻结构的材质不相同，阻刻结构为非金属材质。在第一电极结构上开设第二缺口。在压电结构上制作贯通自身的沟槽，沟槽位于相邻的两个第一电极之间，在谐振滤波器的层叠方向上，沟槽的投影位于两个相邻的第二支撑块的间隔投影内，且位于该间隔处的阻刻结构于沟槽中露出。

本发明授权一种谐振滤波器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种谐振滤波器的制造方法，其特征在于，包括： 依次层叠制作第一电极结构、压电结构、第二电极结构； 在第二电极结构上制作第一缺口，所述第一缺口将所述第二电极结构分隔为多个第二电极，且压电结构的部分表面于所述第一缺口中露出； 制作第一支撑块和第二支撑块，所述第一支撑块位于所述第二电极上，所述第二支撑块位于相邻的两个第二电极之间，并与所述压电结构连接；其中，每个所述第二电极至少连接两个间隔设置的第一支撑块，相邻的两个第二电极之间至少具有两个间隔设置的第二支撑块； 制作阻刻结构，所述阻刻结构覆盖各所述第一支撑块和各所述第二支撑块的壁面以及覆盖于相邻两个支撑块的间隔处露出的压电结构和第二电极； 在所述第一电极结构上制作第二缺口，所述第二缺口将所述第一电极结构分隔为多个第一电极，且压电结构的部分表面于所述第二缺口中露出； 在所述压电结构背离所述第二电极结构的一侧制作沟槽，所述沟槽位于相邻的两个第一电极之间，将所述压电结构分隔为多个压电体，在层叠方向上，所述沟槽的投影位于两个相邻的第二支撑块的间隔投影内，且位于该间隔处的阻刻结构于所述沟槽中露出； 针对每个所述第二电极去除至少一个所述第一支撑块，以使每个所述第二电极背离所述压电结构的一侧形成至少一个空腔。

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