浙江晶科能源有限公司周治军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510449561.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制备方法是由周治军;李超设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池的制备方法包括：提供基底；在基底上依次形成隧穿层和多晶硅层；对第二区上的多晶硅层进行第一掺杂工艺，使第二区上的多晶硅层转变为包含氧原子的第一多晶硅部以及不包含氧原子的第二多晶硅部；对第二面上的多晶硅层、第一多晶硅部以及第二多晶硅部进行第二掺杂工艺，以使第一区上的多晶硅层转换为包含掺杂元素的第一掺杂多晶硅层，并使第二多晶硅部转换为包含掺杂元素的第二掺杂多晶硅层，第二掺杂工艺包括热处理，热处理将包含氧原子的第一多晶硅部转换为氧化硅层；去除氧化硅层。本公开至少可以提升太阳能电池的制备效率和可靠性以及太阳能电池的性能。
本发明授权太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述第二面包括交替排布的第一区和第二区； 在所述第二面上依次形成隧穿层和多晶硅层； 对所述第二区上的所述多晶硅层进行第一掺杂工艺，使所述第二区上的所述多晶硅层转变为包含氧原子的第一多晶硅部以及不包含氧原子的第二多晶硅部，所述第二多晶硅部位于所述第一多晶硅部与所述隧穿层之间，其中，所述第一掺杂工艺为离子注入法； 对所述第一多晶硅部、所述第二多晶硅部以及所述第一区上的所述多晶硅层进行第二掺杂工艺，以使所述第一区上的所述多晶硅层转换为包含掺杂元素的第一掺杂多晶硅层，并使所述第二多晶硅部转换为包含所述掺杂元素的第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂工艺包括热处理，所述热处理将包含所述氧原子的所述第一多晶硅部转换为氧化硅层； 去除所述氧化硅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江晶科能源有限公司，其通讯地址为：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号