上海陛通半导体能源科技股份有限公司李文焰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海陛通半导体能源科技股份有限公司申请的专利晶圆及调控晶圆翘曲度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120033067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510460101.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权晶圆及调控晶圆翘曲度的方法是由李文焰;蔡东益;晏明涛;刘祥;宋维聪设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆及调控晶圆翘曲度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆及调控晶圆翘曲度的方法。方法包括：于晶圆的表面形成具有第一方向应力的第一膜层，于第一膜层表面形成具有第二方向应力的第二膜层以及形成具有第一方向应力的第三膜层，第一方向应力为拉应力且第二方向应力为压应力，或第一方向应力为压应力且第二方向应力为拉应力，第二膜层和第三膜层在纵向上至少部分不重叠，第二膜层包括交替形成的具有拉应力的氮化硅膜和起缓冲作用的氧化硅膜。本发明可调节晶圆在不同方向的翘曲度，有助于提高生产良率。本发明调控晶圆不同区域的膜厚而无需刻蚀去除既已形成的薄膜，整个工艺过程可都在沉积设备上完成，有助于缩短工艺时间，降低生产成本。采用本发明的晶圆，有助于提高生产良率。
本发明授权晶圆及调控晶圆翘曲度的方法在权利要求书中公布了：1.一种调控晶圆翘曲度的方法，其特征在于，包括： 于晶圆的表面形成具有第一方向应力的第一膜层； 于第一膜层表面形成具有第二方向应力的第二膜层； 形成具有第一方向应力的第三膜层； 第一方向应力为拉应力且第二方向应力为压应力，或第一方向应力为压应力且第二方向应力为拉应力，第二膜层和第三膜层在纵向上至少部分不重叠，第二膜层包括交替形成的具有拉应力的氮化硅膜和起缓冲作用的氧化硅膜。
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