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龙图腾网获悉无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司申请的专利一种SiC晶圆表面碳保护膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510503399.3，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种SiC晶圆表面碳保护膜及其制备方法和应用是由刘田鹏;刘丹;穆洪杨;季润梅设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC晶圆表面碳保护膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种SiC晶圆表面碳保护膜及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。制备方法包括以下步骤：提供PECVD设备，PECVD设备的腔室内放置有SiC晶圆；向腔室通入前驱体源，并维持在第一条件；在第二条件下进行第一沉积，以在SiC晶圆表面沉积第一碳膜；在第三条件下进行第二沉积，以在第一碳膜上沉积第二碳膜，形成碳保护膜；其中，P3大于P2，t3＞t2，P2、P3分别为第二条件和第三条件下的功率，单位为W，t2、t3分别为第二条件和第三条件下的沉积时间，单位为s。本发明改善了碳保护膜的均匀性，提高了碳保护膜的拉脱强度，即使碳保护膜的厚度超过800nm也具有优异的厚度均匀性和拉脱强度。

本发明授权一种SiC晶圆表面碳保护膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种SiC晶圆表面碳保护膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 提供PECVD设备，所述PECVD设备的腔室内放置有SiC晶圆； 向所述腔室通入前驱体源，并维持在第一条件； 在第二条件下进行第一沉积，以在所述SiC晶圆表面沉积第一碳膜；所述第二条件包括：碳源气体的流量220-300sccm，氩气的流量5000-6000sccm，氦气的流量150-250sccm，工作压力2-8torr，沉积温度300-400℃； 在第三条件下进行第二沉积，以在所述第一碳膜上沉积第二碳膜，形成所述碳保护膜； 其中，P3大于P2，t3＞t2，P2、P3分别为第二条件和第三条件下的功率，单位为W，t2、t3分别为第二条件和第三条件下的沉积时间，单位为s； 所述P2的取值范围为450-550W；所述t2的取值范围为2-4s； 所述第一碳膜的厚度为150-250Å； 所述第三条件还包括，Q3＞Q2，其中Q3为第三条件下碳源气体的流量，Q2为第二条件下碳源气体的流量，单位为sccm； 所述碳保护膜的表面粗糙度Ra小于2nm。

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