合肥晶合集成电路股份有限公司王棒获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利接触孔形成方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510512904.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权接触孔形成方法及图像传感器是由王棒;王厚有;周成;刘西域;程子扬设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本接触孔形成方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种接触孔形成方法及图像传感器，方法为：在图像传感器的逻辑区和像素区的器件结构上，形成接触孔刻蚀停止层；在接触孔刻蚀停止层上填充增厚的层间介电层，增加的厚度等于保护层厚度；并在层间介质层上形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；以第一硬掩膜层为掩膜在逻辑区刻蚀接触孔，像素区在第二硬掩膜层的保护下仅在其上形成掩膜图案；形成保护逻辑区接触孔的牺牲层；进行像素区的接触孔刻蚀，直到保护层之上；继续向下刻蚀像素区接触孔下方的保护层，同时刻蚀相同厚度的层间介电层；去除逻辑区的牺牲层并对所有接触孔进行填充。本发明逻辑区和像素区的接触孔可分开刻蚀，不会因高度差引起逻辑区衬底的过度蚀刻，有利于维持电性稳定。
本发明授权接触孔形成方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种接触孔形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 在预先完成的图像传感器的逻辑区和像素区的器件结构上，形成接触孔刻蚀停止层，其中像素区的器件结构比逻辑区多一层保护层； 在接触孔刻蚀停止层上填充增厚的层间介电层，增加的厚度等于保护层厚度；并在层间介质层上形成第一硬掩膜层，在像素区的第一硬掩膜层上方还形成第二硬掩膜层； 以第一硬掩膜层为掩膜在逻辑区刻蚀接触孔，像素区在第二硬掩膜层的保护下仅在其上形成掩膜图案； 在逻辑区和像素区均旋涂有机碳层，形成保护逻辑区接触孔的牺牲层； 刻蚀有机碳层，露出像素区的掩膜图案，并进行像素区的接触孔刻蚀，直到保护层之上； 继续向下刻蚀像素区接触孔下方的保护层，同时刻蚀减薄相同厚度的层间介电层； 去除逻辑区的牺牲层并对所有接触孔进行填充。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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