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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利高深宽比刻蚀结构形貌改善方法、刻蚀设备及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120033146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510509978.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权高深宽比刻蚀结构形貌改善方法、刻蚀设备及半导体结构是由王士京;胥沛雯;张名瑜;李俭设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本高深宽比刻蚀结构形貌改善方法、刻蚀设备及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高深宽比刻蚀结构形貌改善方法、刻蚀设备及半导体结构，方法包括：在第一空间中形成密度持续增大的等离子体；使等离子体在压力的自然作用下，通过第一空间的底部被分散并向下扩散至第二空间中，以在到达位于第二空间中的衬底的表面上时，在衬底的整个表面上形成密度趋于均匀的所述等离子体；通过等离子体对衬底的表面进行向下刻蚀，形成分布在衬底上的多个高深宽比刻蚀结构，并在刻蚀过程中，根据获取的高深宽比刻蚀结构的倾斜发生区域和倾斜度大小数据，对衬底上的目标改善区域施加额外的局部修正电场，并调节使该局部修正电场的电场强度至预设值。本申请能有效解决刻蚀倾斜的异常形貌，保证了器件的电性能和机械可靠性。

本发明授权高深宽比刻蚀结构形貌改善方法、刻蚀设备及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比刻蚀结构形貌改善方法，其特征在于，包括： 利用压力效应，在第一空间中对形成的等离子体进行增压储气，使等离子体的密度持续增大并均匀化； 当所述第一空间中的气压达到临界状态时，使所述等离子体在压力的自然作用下，通过所述第一空间底部上的纳米气孔并不被接地地被分散并向下扩散至第二空间中，以在到达位于所述第二空间中的衬底的表面上时，在所述衬底的整个表面上形成密度均匀的所述等离子体； 通过所述等离子体对所述衬底的表面进行向下刻蚀，形成分布在所述衬底上的多个高深宽比刻蚀结构，并在刻蚀过程中，根据获取的高深宽比刻蚀结构的倾斜发生区域和倾斜度大小数据，对所述衬底上的目标改善区域施加额外的局部修正电场，并调节使该局部修正电场的电场强度至预设值； 其中，通过施加交变电压，产生所述局部修正电场，以增强物理轰击作用，加强各向异性刻蚀，所述预设值的大小与所述倾斜度的大小成正比；所述临界状态为进气量与出气量达到动态平衡的状态。

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