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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510544717.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权功率半导体器件及其制备方法是由李忠仁;何福秀设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件，包括：衬底，包括第一衬底、绝缘掩埋层和第二衬底，绝缘掩埋层位于第一衬底和第二衬底之间，第二衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；漂移区，漂移区设置在第二衬底中，并自第一表面向第二衬底内延伸，漂移区具有第一导电类型；槽栅结构和槽漏结构，槽栅结构与槽漏结构在第二方向上间隔设置于漂移区，槽栅结构和槽漏结构均自第一表面延伸至第二衬底内，第一方向和第二方向垂直；至少一个第一沟槽隔离结构，第一沟槽隔离结构设置于漂移区内，且第一沟槽隔离结构自第二表面向第二衬底内延伸，以在提高器件的击穿电压的同时，优化器件比导通电阻。

本发明授权功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，包括第一衬底、绝缘掩埋层和第二衬底，所述绝缘掩埋层位于所述第一衬底和所述第二衬底之间，所述第二衬底包括远离所述绝缘掩埋层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和所述第二表面在第一方向上间隔设置； 漂移区，所述漂移区设置在所述第二衬底中，并自所述第一表面向所述第二衬底内延伸，所述漂移区具有第一导电类型； 槽栅结构和槽漏结构，所述槽栅结构与所述槽漏结构在第二方向上间隔设置于所述漂移区，所述槽栅结构和槽漏结构均自所述第一表面延伸至所述第二衬底内，所述第一方向和所述第二方向垂直； 至少一个第一沟槽隔离结构，所述第一沟槽隔离结构设置于所述漂移区内且邻近所述槽漏结构，且所述第一沟槽隔离结构自所述第二表面向所述第二衬底内延伸，在所述第二方向上，所述第一沟槽隔离结构与所述槽栅结构之间的间距大于所述第一沟槽隔离结构与所述槽漏结构之间的间距，在所述第一方向上，所述第一沟槽隔离结构远离所述第二表面一侧的顶部和所述第一表面之间的距离小于所述槽漏结构的深度。

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