山东大学陈杰智获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种新型半导体非易失存储器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510559060.5，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权一种新型半导体非易失存储器及其制备方法和应用是由陈杰智;李晓鹏;武继璇设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型半导体非易失存储器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，公开一种新型半导体非易失存储器及其制备方法和应用；该存储器包括自下至上依次设置的衬底、底电极、非晶态氧化物界面层、铁电介质层和顶电极；其制备方法包括（1）衬底清洗，（2）底电极沉积，（3）形成非晶氧化物界面层，（4）铁电介质层沉积，在非晶态MoO3界面层上，形成组成均匀且铁电性良好的超薄铁电介质层，（5）顶电极图形化与沉积，（6）快速热退火处理。上述存储器应用于三维堆叠非易失性存储阵列或构建背栅型铁电晶体管结构。本发明有效抑制非铁电相的形成，促进铁电相的择优取向排列，增强极化强度，提升器件的铁电性能。兼具低热预算、高工艺兼容性与优异铁电性能。
本发明授权一种新型半导体非易失存储器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种新型半导体非易失存储器，其特征是，包括自下至上依次设置的衬底、底电极、非晶态氧化物界面层、铁电介质层和顶电极； 所述衬底的材料为Si和SiO2；所述底电极材料为Mo，所述非晶态氧化物界面层为非晶态MoO3界面层，所述铁电介质层为铪基铁电材料；所述顶电极材料包括但不限于Mo、TiN、W和Pt； 所述铁电介质层为HZO铁电介质层，采用层间堆叠的方式沉积HfO2与ZrO2。
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