株式会社半导体能源研究所尾坂晴惠获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114085182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111215128.6,技术领域涉及:C07D209/86;该发明授权有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件是由尾坂晴惠;高须贵子;门间裕史;川田优子;下垣智子;能渡広美;铃木恒德;大泽信晴;濑尾哲史设计研发完成,并于2011-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件在说明书摘要公布了:提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式G1表示的结构的咔唑化合物。应注意,分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式G1中的各取代基具体为R1,R2,Ar3和α3,所述化合物中取代基的键被氢取代。此外,使用能使化合物的带隙Bg宽和T1能级高的取代基作为通式G1中的各取代基具体为R1,R2,Ar3和α3,所述化合物中取代基的键被氢取代。
本发明授权有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件在权利要求书中公布了:1.一种由通式G1表示的有机化合物: 其中R1表示取代或未取代的萘基, 其中R2表示氢、具有1~12个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、由通式G1-2表示的取代基中的任一种; 其中α3表示未取代的亚苯基或未取代的联苯二基, 其中α2与α3相同, 其中Ar3表示取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、和取代或未取代的苯并[9,10]菲基的任一种, 其中Ar2与Ar3相同,并且 其中在R1、R2和Ar3具有取代基的情况下,所述取代基分别是具有1~12个碳原子的烷基、未取代的苯基、未取代的联苯基、未取代的萘基、未取代的菲基、未取代的苯并[9,10]菲基中的任一种。
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