台湾积体电路制造股份有限公司谢东伯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109801967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811241505.1，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构是由谢东伯;刘书豪;刘虹志;黄净惠;黄玠瑝;谭伦光;张惠政;陈亮吟;陈国儒设计研发完成，并于2018-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：提供半导体结构及其形成方法，半导体结构包含栅极结构、源极漏极结构、第一接触插塞和第一通孔插塞。栅极结构位于鳍结构上方。源极漏极结构位于鳍结构中，并与栅极结构相邻。第一接触插塞位于源极漏极结构上方。第一通孔插塞位于第一接触插塞上方，第一通孔插塞包含第一组IV元素。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一栅极结构，位于一鳍结构上方； 一源极漏极结构，位于该鳍结构中，并与该栅极结构相邻； 一第一接触插塞，位于该源极漏极结构上方； 一第一通孔插塞，位于该第一接触插塞上方；以及 一介电层，围绕该第一通孔插塞并直接接触该第一通孔插塞，其中该第一通孔插塞包括一第一组IV元素且该介电层包括该第一组IV元素与一第二组IV元素，其中在该介电层中的该第一组IV元素的浓度从该介电层的一顶表面到一底表面逐渐降低。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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