英飞凌科技股份有限公司J.P.康拉特获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体器件和用于形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110364489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910283859.0，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权半导体器件和用于形成半导体器件的方法是由J.P.康拉特;W.贝格纳;R.埃斯特夫;R.盖斯贝格尔;F.格拉泽;J.希尔森贝克;R.K.约施;S.克拉姆普;S.克里韦克;G.卢皮纳;楢桥浩;A.韦尔克尔;S.韦勒特设计研发完成，并于2019-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和用于形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件，其包括布置在半导体衬底上的接触金属化层、布置在半导体衬底上的无机钝化结构、以及有机钝化层。位于接触金属化层和无机钝化结构之间的有机钝化层垂直地位于比位于无机钝化结构顶部上的有机钝化层的一部分更靠近半导体衬底的位置。
本发明授权半导体器件和用于形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件100、200，包括： 接触金属化层120，其被布置在半导体衬底110上； 无机钝化结构130，其被布置在半导体衬底110上；以及 有机钝化层140，其中该有机钝化层140的第一部分横向地位于接触金属化层120和无机钝化结构130之间，并且该有机钝化层140的第二部分位于无机钝化结构130的顶部上，并且其中该有机钝化层的第一部分垂直地位于比该有机钝化层的第二部分更靠近半导体衬底110的位置，其中该有机钝化层140的第三部分位于所述接触金属化层120的顶部上； 其中无机钝化结构130包括一个连续层，该一个连续层接触半导体衬底110，或者只有电绝缘层位于该一个连续层和半导体衬底110之间， 其中该接触金属化层包括从该接触金属化层的上表面朝向半导体衬底延伸的第一边缘侧， 其中该无机钝化结构包括从该无机钝化结构的上表面朝向半导体衬底延伸的第二边缘侧， 其中第一边缘侧和第二边缘侧在该无机钝化结构和该接触金属化层之间限定横向间隙， 其中该有机钝化层的第一部分延伸到该横向间隙中，并且 其中第二边缘侧是该无机钝化材料的最接近该接触金属化层的表面。
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