珠海格力电器股份有限公司曾丹获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911069443.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件是由曾丹;史波;刘勇强设计研发完成，并于2019-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件，其中，功率半导体器件的终端结构包括：衬底和位于衬底上的外延层；位于外延层内的耐压环、位于外延层内且位于耐压环外围的截止环、依次设置于耐压环和截止环上的介质层、金属层和钝化层，耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，截止环的外侧设有划片槽，截止环与划片槽之间的部位设有凹陷，钝化层伸入凹陷内以包覆截止环和金属层。本申请公开的功率半导体结构的终端结构，保证了器件的可靠性，能够进一步降低器件的漏电水平，有效降低器件损耗。
本发明授权一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的终端结构，其特征在于，包括： 衬底和位于所述衬底上的外延层； 位于所述外延层内的耐压环、位于所述外延层内且位于所述耐压环外围的截止环、依次设置于所述耐压环和所述截止环上的介质层、金属层和钝化层，所述耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中， 所述截止环的外侧设有划片槽，所述截止环与所述划片槽之间的部位设有凹陷，所述钝化层伸入所述凹陷内以包覆所述截止环和所述金属层。
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