三星电子株式会社宋润洽获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有气隙的3维闪存及制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113348556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080010963.3，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权具有气隙的3维闪存及制造其的方法是由宋润洽设计研发完成，并于2020-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有气隙的3维闪存及制造其的方法在说明书摘要公布了：公开了一种3维闪存及其制造方法，该3维闪存具有减轻在氧化物‑氮化物‑氧化物ONO层其为电荷存储层中在相邻单元之间的干扰的结构。根据一实施方式，3维闪存特征在于，包括：形成为在第一方向上延伸的至少一个沟道层；多个电极层，形成为在与第一方向垂直的第二方向上延伸，从而相对于所述至少一个沟道层垂直堆叠；多个气隙，插置在所述多个电极层之间以将所述多个电极层彼此分开；以及至少一个ONO层，包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，并且形成为在第一方向上延伸从而连接所述至少一个沟道层和所述多个电极层，其中3维闪存具有减轻在所述至少一个ONO层中在与所述多个电极层接触的单元之间的干扰的结构。
本发明授权具有气隙的3维闪存及制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种三维闪存，包括： 形成为在第一方向上延伸的至少一个沟道层； 多个电极层，形成为在与第一方向正交的第二方向上延伸，从而相对于所述至少一个沟道层垂直堆叠； 多个气隙，在所述多个电极层之间以将所述多个电极层彼此分开； 至少一个氧化物-氮化物-氧化物层，包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层并且形成为在所述第一方向上延伸以连接所述至少一个沟道层和所述多个电极层；以及 阻挡材料层，形成在所述多个电极层的每个的上部和下部上， 其中所述第一氧化物层、所述氮化物层和所述第二氧化物层在所述第一方向上在所述至少一个沟道层与所述多个电极层和所述多个气隙中的每个之间连续延伸，以及 其中所述第一氧化物层接触所述多个气隙、所述阻挡材料层和所述多个电极层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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