厦门乾照半导体科技有限公司李峰柱获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照半导体科技有限公司申请的专利一种VCSEL芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111181003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010155258.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种VCSEL芯片及其制备方法是由李峰柱;田宇;杜石磊;罗桂兰设计研发完成，并于2020-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VCSEL芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种VCSEL芯片及其制备方法，通过在所述衬底表面依次堆叠的N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、P型氧化界面截止层及P型DBR层；在所述N型DBR层、N型波导限制层、P型波导限制层及P型DBR层的至少一层中设有电流扩展夹层，以提供更好的电流扩展效果和更好地限制光在限制层中传播的电场强度，从而减小VCSEL激光的发散角。通过设置使DBR的反射率大小与所述电流扩展夹层的折射率无关，因此，在不影响DBR的反射率大小的同时，还能更好地实现电流扩展效果及限制光在限制层中传播的电场强度。
本发明授权一种VCSEL芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL芯片，其特征在于，包括： 衬底； 在所述衬底上以第一方向依次堆叠的N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、P型氧化界面截止层及P型DBR层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型DBR层； P型包层，所述P型包层设置于所述P型DBR层背离所述衬底的一侧表面； 其中，所述N型波导限制层、P型波导限制层均包括重叠生长的若干个子限制层；且在所述N型波导限制层和P型波导限制层的至少一者中，其任意相邻的两个所述子限制层的交界处设有电流扩展夹层，以在提供电流扩展效果的同时限制光在限制层中传播的电场强度。
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