深圳麦格米特电气股份有限公司张熙宇获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳麦格米特电气股份有限公司申请的专利一种功率半导体组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111312672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010213572.3，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种功率半导体组件是由张熙宇;陈水兵;刘勇设计研发完成，并于2020-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体组件在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体器件技术领域，特别是涉及一种功率半导体组件。本发明实施例提供了一种功率半导体组件，该功率半导体组件包括通过螺钉连接的半导体焊接器件和散热器，其中半导体焊接器件包括焊接在一起的功率半导体器件和陶瓷金属复合基片。通过将功率半导体器件和陶瓷金属复合基片焊接在一起便于功率半导体组件中各部件的逐层对位安装。另外，第一金属层和第二金属层的设置可以使陶瓷基片在厚度较薄的条件下仍不易碎裂。因此，可以通过减小陶瓷基片的厚度来降低陶瓷基片的热阻，从而提升功率半导体器件的散热效率。
本发明授权一种功率半导体组件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体组件，其特征在于，所述功率半导体组件包括螺钉和通过所述螺钉连接的半导体焊接器件和散热器；其中， 所述半导体焊接器件包括功率半导体分立器件和与所述功率半导体分立器件焊接的陶瓷金属复合基片； 所述陶瓷金属复合基片包括陶瓷基片和分别设置于所述陶瓷基片两侧表面的第一金属层和第二金属层； 所述第一金属层位于所述功率半导体分立器件和所述陶瓷基片之间，所述第二金属层位于所述陶瓷基片和所述散热器之间； 所述功率半导体分立器件上开设第一通孔，所述陶瓷金属复合基片上开设第二通孔，所述螺钉依次通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述散热器连接，所述第二通孔包括第三通孔、第四通孔和第五通孔，其中，所述第一金属层上开设所述第三通孔，所述陶瓷基片上开设所述第四通孔，所述第二金属层上开设所述第五通孔，所述第四通孔的孔径小于所述第三通孔孔径和所述第五通孔的孔径。
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