三星电子株式会社朱昶垠获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111933587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010253551.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装件是由朱昶垠;金成焕;郑景文;权容焕;林荣奎;朴成桓设计研发完成，并于2020-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了：提供一种半导体封装件。所述半导体封装件包括连接结构、半导体芯片和连接金属件。所述连接结构包括重新分布层和连接过孔层。所述半导体芯片设置在所述连接结构上，并且包括连接垫。所述连接金属件设置在所述连接结构上并且通过所述连接结构电连接到所述连接垫。所述连接过孔层包括具有长轴和短轴的连接过孔，并且在平面图中，所述连接过孔的所述短轴与所述连接金属件相交。
本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 连接结构，具有第一表面以及与所述第一表面背对的第二表面，所述连接结构包括重新分布层和连接过孔层； 半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上；以及 多个连接金属件，设置在所述连接结构的所述第二表面上， 其中，所述连接过孔层包括多个连接过孔， 所述多个连接过孔中的第一连接过孔电连接到所述多个连接金属件中的第一连接金属件，并且 在平面图中，当C1表示所述第一连接金属件的中心、C2表示所述第一连接过孔的中心、L1表示经过C1和C2的线、L2表示与L1相交且经过C2的线、D1表示在所述第一连接过孔的边缘上的位于L1上的两点之间的距离、D2表示在所述第一连接过孔的边缘上的位于L2上的两点之间的距离并且θ1表示由L1和L2形成的角度时，满足以下关系： D1D2， 30°≤θ1≤90°。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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