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剑桥氮化镓器件有限公司弗洛林·乌德雷亚获国家专利权

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龙图腾网获悉剑桥氮化镓器件有限公司申请的专利具有集成保护功能的III-V族半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114072909B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080048477.0,技术领域涉及:H10D84/82;该发明授权具有集成保护功能的III-V族半导体器件是由弗洛林·乌德雷亚;洛伊佐斯·埃夫蒂米乌;焦尔贾·隆戈巴尔迪;马丁·阿诺德设计研发完成,并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

具有集成保护功能的III-V族半导体器件在说明书摘要公布了:公开了一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件,其包括形成在衬底上的第一异质结晶体管19,该第一异质结晶体管包括:第一III族氮化物半导体区,其形成在该衬底上,其中该第一III族氮化物半导体区包括第一异质结,该第一异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气;第一端子8,其操作性地连接至该第III族氮化物半导体区;第二端子9,其与该第一端子横向间隔开并且操作性地连接至该第一III族氮化物半导体区;第一栅极端子10,其形成在该第一端子与该第二端子之间的该第一III族氮化物半导体区上。该器件亦包括形成在衬底上的第二异质结晶体管14,该第二异质结晶体管包括:第二III族氮化物半导体区,其形成在该衬底上,其中该第二III族氮化物半导体区包括第二异质结,该第二异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气;第三端子,其操作性地连接至该第二III族氮化物半导体区;第四端子,其在第一维度上与该第三端子横向间隔开并且操作性地连接至该第二III族氮化物半导体区,其中该第四端子操作性地连接至该第一栅极端子;以及第二栅极端子,其形成在该第三端子与该第四端子之间的该第二III族氮化物半导体区上,并且其中该第二异质结晶体管用于该第一功率异质结晶体管的感测及保护功能中。该器件亦包括具有与第一异质结晶体管的结构实质上相同的至少一个单片集成式电流感测晶体管16,并且其中该第三晶体管依比例因子X相较于该第一异质结晶体管缩放至较小面积或较短栅极宽度,其中X大于1。其他实施例包括内部感测及外部感测两者、感测负载及反馈电路以提供过电流、栅极过电压或过温度保护。

本发明授权具有集成保护功能的III-V族半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件,包括: 第一功率异质结晶体管,形成在衬底上,所述第一功率异质结晶体管包括: 第一III族氮化物半导体区,形成在所述衬底之上,其中,所述第一III族氮化物半导体区包括第一异质结,所述第一异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气; 第一端子,操作性地连接至所述第一III族氮化物半导体区; 第二端子,与所述第一端子横向间隔开并且操作性地连接至所述第一III族氮化物半导体区; 第一栅极区,形成在所述第一端子与所述第二端子之间的所述第一III族氮化物半导体区之上; 第一栅极端子,接触所述第一栅极区, 第二异质结晶体管,形成在衬底上,所述第二异质结晶体管包括: 第二III族氮化物半导体区,形成在所述衬底之上,其中,所述第二III族氮化物半导体区包括第二异质结,所述第二异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气; 第三端子,操作性地连接至所述第二III族氮化物半导体区; 第四端子,在第一维度上与所述第三端子横向间隔开并且操作性地连接至所述第二III族氮化物半导体区,其中,所述第四端子操作性地连接至所述第一栅极端子;以及 第二栅极区,形成在所述第三端子与所述第四端子之间的所述第二III族氮化物半导体区之上; 第二栅极端子,接触所述第二栅极区, 第三异质结晶体管,形成在衬底上,所述第三异质结晶体管包括: 第三III族氮化物半导体区,形成在所述衬底之上,其中,所述第三III族氮化物半导体区包括第三异质结,所述第三异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气; 第五端子,操作性地连接至所述第三III族氮化物半导体区; 第六端子,在第一维度上与所述第五端子横向间隔开并且操作性地连接至所述第三III族氮化物半导体区,其中,所述第六端子操作性地连接至所述第二端子;以及 第三栅极区,形成在所述第五端子与所述第六端子之间的所述第三III族氮化物半导体区之上; 第三栅极端子,接触所述第三栅极区,其中,所述第三栅极端子操作性地连接至所述第一栅极端子,并且 其中,所述第三异质结晶体管与所述第一功率异质结晶体管单片集成并且具有与所述第一功率异质结晶体管实质上相同的结构,并且其中,所述第三异质结晶体管依比例因子X缩放至与所述第一功率异质结晶体管相比小的面积或短的栅极宽度,其中X大于1,并且 其中,所述第三异质结晶体管用于所述第一功率异质结晶体管的电流感测中,并且所述第二异质结晶体管被配置为用于所述第一功率异质结晶体管的感测和或保护功能中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人剑桥氮化镓器件有限公司,其通讯地址为:英国剑桥;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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