意法半导体(格勒诺布尔2)公司S·尼古拉斯获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(格勒诺布尔2)公司申请的专利具有一组加权电容的电子电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111934686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010398849.4,技术领域涉及:H03M1/34;该发明授权具有一组加权电容的电子电路是由S·尼古拉斯;D·基奥特;S·拉梅特;R·韦尔克设计研发完成,并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有一组加权电容的电子电路在说明书摘要公布了:本公开的各实施例涉及具有一组加权电容的电子电路。一种电子电路包括连接到一个或多个节点的电容结构,其中电容结构中的每个电容结构由一个电容器或并联电连接的多个电容器形成。该电子电路进一步包括各自连接到一个或多个节点的附加电容器。针对电容器之间的至少一个距离,电容结构具有相同的平均值,该相同的平均值针对每个电容结构的每个电容器,通过连接到一个或多个节点并且位于与电容结构的电容器相距一距离处的电路的电容器的数目而被限定。
本发明授权具有一组加权电容的电子电路在权利要求书中公布了:1.一种电子电路,包括: 电容结构,连接到一个或多个节点,其中所述电容结构中的每个电容结构由一个电容器形成或由并联电连接的多个电容器形成,其中所述电容结构能够切换并且具有加权电容值;和 附加电容器,其中每个附加电容器被连接到所述一个或多个节点; 其中,针对电容器之间的至少一个距离,所述电容结构具有相同的平均值,所述相同的平均值针对每个电容结构的每个电容器,通过连接到所述一个或多个节点并且位于与所述电容结构的所述电容器相距所述距离处的所述电子电路的电容器的数目而被限定。
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