意法半导体(鲁塞)公司A·萨拉菲亚诺斯获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利检测破坏集成电路的完整性的企图的方法及集成电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111933584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010397652.9,技术领域涉及:H01L23/00;该发明授权检测破坏集成电路的完整性的企图的方法及集成电路是由A·萨拉菲亚诺斯;F·马里内特;J·德拉勒奥设计研发完成,并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本检测破坏集成电路的完整性的企图的方法及集成电路在说明书摘要公布了:公开了检测破坏集成电路的完整性的企图的方法及集成电路。集成电路包括半导体衬底。半导体衬底具有正面和背面。彼此间隔开的第一触点和第二触点位于正面上。导电晶片位于背面上。检测电路被配置为检测衬底从背面的变薄。检测电路包括测量电路,该测量电路对所述至少一个第一触点、所述至少一个第二触点和所述导电晶片之间的衬底的电阻值进行测量。响应于所测量的电阻值检测到变薄。
本发明授权检测破坏集成电路的完整性的企图的方法及集成电路在权利要求书中公布了:1.一种用于检测破坏集成电路的完整性的企图的方法,所述集成电路包括仅掺杂有第一导电类型的并且具有正面和背面的半导体衬底,所述方法包括: 检测所述半导体衬底从所述背面的变薄,其中检测所述变薄包括: 第一测量位于所述正面上的第一触点、位于所述正面上的第二触点、以及位于所述背面上的导电晶片之间的所述半导体衬底的电阻值,其中所述第一触点和所述第二触点彼此间隔开,并且其中所述导电晶片与所述半导体衬底的背面直接电连接。
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