上海徕刻科技有限公司梁寒潇获国家专利权
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龙图腾网获悉上海徕刻科技有限公司申请的专利一种弱相位漂移的铌酸锂波导获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111522154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010410353.4,技术领域涉及:G02F1/035;该发明授权一种弱相位漂移的铌酸锂波导是由梁寒潇;宋一品;周颖聪;巫海苍;毛文浩;宋时伟设计研发完成,并于2020-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种弱相位漂移的铌酸锂波导在说明书摘要公布了:本申请公开了一种弱相位漂移的铌酸锂波导,包括铌酸锂层、金属电极以及基底层,所述铌酸锂层包括铌酸锂中心脊和向铌酸锂中心脊两侧延伸的铌酸锂延伸面,所述铌酸锂中心脊的上表面设有金属氧化物层,所述基底层位于所述铌酸锂层的下表面,所述基底层由硅,二氧化硅,硅和二氧化硅多层材料或者二氧化硅、金属与硅的多层材料制成,以此进一步达到达到抑制相位漂移的目的。相较于其他参杂或者其他结构,本结构制作方法简单,同时产生非常好的相位漂移抑制效果。
本发明授权一种弱相位漂移的铌酸锂波导在权利要求书中公布了:1.一种弱相位漂移的铌酸锂波导,其特征在于,包括铌酸锂层、金属电极以及基底层,所述铌酸锂层包括铌酸锂中心脊和向铌酸锂中心脊两侧延伸的铌酸锂延伸面,所述铌酸锂中心脊的上表面设有金属氧化物层,所述基底层位于所述铌酸锂层的下表面,所述基底层由硅,二氧化硅,硅和二氧化硅多层材料或者二氧化硅、金属与硅的多层材料制成; 所述铌酸锂延伸面的上表面以及中心脊的侧表面设有金属氧化物层; 所述金属氧化物层为氧化铪,氧化钽,二氧化锆或二氧化钛; 还包括覆盖层,所述覆盖层位于金属氧化物层和未覆盖金属氧化物的铌酸锂层的上表面,所述覆盖层由二氧化硅构成; 所述金属电极穿过所述部分或全部覆盖层和或部分或全部金属氧化物层和或部分或全部铌酸锂延伸面和或部分或全部下层基底层后,与所述被穿过的最下层的表面连接; 所述金属电极顶面高于或者低于或者等于覆盖层的表面高度; 所述金属电极位于所述基底层内。
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