三星电子株式会社千镇豪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010748784.1，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装是由千镇豪;安振镐;郑泰和;秦正起;崔朱逸;藤崎纯史设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：提供了半导体封装，其包括再分布基板和安装在再分布基板上的半导体芯片。再分布基板可以包括下保护层、设置在下保护层上的第一导电图案、围绕第一导电图案并设置在下保护层上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。第一绝缘层可以包括第一上表面，第一上表面包括平行于下保护层的上表面延伸的第一平坦部分、以及面对下保护层并与第一导电图案接触的第一凹陷。第一凹陷可以直接连接到第一导电图案。
本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 再分布基板；以及 在所述再分布基板上的半导体芯片， 其中，所述再分布基板包括： 下保护层； 在所述下保护层上的第一导电图案； 围绕所述第一导电图案并在所述下保护层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一上表面，所述第一上表面包括平行于所述下保护层的上表面延伸的第一平坦部分，所述第一绝缘层的所述第一上表面还包括直接连接到所述第一导电图案的第一凹陷；以及 在所述第一绝缘层上的第二绝缘层， 其中所述下保护层的所述上表面直接接触所述第一导电图案的下表面以及所述第一绝缘层的下表面， 其中所述第一凹陷比所述第一平坦部分更靠近所述第一导电图案的上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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