雷声公司P·J·杜瓦尔获国家专利权
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龙图腾网获悉雷声公司申请的专利欧姆合金触点区域密封层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114375490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063775.7，技术领域涉及：H01L21/283；该发明授权欧姆合金触点区域密封层是由P·J·杜瓦尔;J·P·贝当古;J·W·麦克利蒙兹;P·M·奥尔康;P·C·巴拉斯二世;M·S·戴维斯设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本欧姆合金触点区域密封层在说明书摘要公布了：形成欧姆触点密封层，所述欧姆触点密封层被设置在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处；在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处形成欧姆触点密封层；并将带有欧姆触点的半导体利用化学蚀刻剂处理。
本发明授权欧姆合金触点区域密封层在权利要求书中公布了：1.一种用于形成场效应晶体管的方法，其包括： 沉积欧姆触点密封层，所述欧姆触点密封层被设置在：a源极触点的侧壁与半导体的表面之间的交汇处；以及b漏极触点的侧壁与半导体的表面之间的交汇处，其中，所述源极触点和所述漏极触点包括镍； 在源极触点和漏极触点之间，在半导体的表面中形成凹口；以及 在凹口中形成栅极触点，所述栅极触点与半导体接触， 其中，所述半导体包括上部半导体层和下部半导体层， 其中，所述源极触点和所述漏极触点与所述上部半导体层的上表面接触，并且其中，所述凹口从所述上表面穿过所述上部半导体层到达所述下部半导体层，并且 其中，所述栅极触点和所述欧姆触点密封层包括相同的金属，其中，所述欧姆触点密封层在凹口形成之后形成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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