ASM IP私人控股有限公司E.C.斯蒂芬斯获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010830240.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构是由E.C.斯蒂芬斯;B.佐普;S.斯瓦米纳坦;C.德泽拉;谢琦;G.A.沃尼设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构在说明书摘要公布了：公开了用于将氮化钼膜沉积在衬底表面上的方法。所述方法可以包括：将衬底提供到反应室中；以及通过执行循环沉积工艺的一个或多个单元沉积循环将氮化钼膜直接沉积在衬底表面上，其中单元沉积循环可以包括使衬底与包含卤化钼前体的第一气相反应物接触，并且使衬底与包含氮前体的第二气相反应物接触。还公开了包括氮化钼膜的半导体装置结构。
本发明授权沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种通过循环沉积工艺在衬底表面上沉积氮化钼膜的方法，所述方法包含： 将衬底提供到反应室中；以及 通过执行循环沉积工艺的一个或多个单元沉积循环，将氮化钼膜直接沉积在所述衬底的所述表面上，其中单元沉积循环包含： 使所述衬底与包含钼前体的第一气相反应物接触；以及 使所述衬底与包含氮前体的第二气相反应物接触， 其中所述钼前体包含氧卤化钼前体， 其中所述氧卤化钼前体包含以下中的至少一种：三氯氧化钼VMoOCl3、四氯氧化钼VIMoOCl4或二氯二氧化钼IVMoO2Cl2， 其中所述氮化钼膜具有小于1.5％的粗糙度百分比。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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