三星电子株式会社尹铉喆获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造集成电路装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010878009.8，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权制造集成电路装置的方法是由尹铉喆;郭旻哲;金中熙;金芝希;朴容臣;黄晶铉设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造集成电路装置的方法在说明书摘要公布了：为了制造集成电路装置，在衬底上在用于形成多个芯片的第一区中和围绕第一区的第二区中形成特征层。特征层在第二区中具有台阶差部分。在特征层上，形成包括彼此堆叠的多个硬掩模层的硬掩模结构。在第一区和第二区中，形成覆盖硬掩模结构的保护层。在保护层上，形成光致抗蚀剂层。通过利用第二区中的台阶差部分作为对准标记将第一区中的光致抗蚀剂层曝光和显影来形成光致抗蚀剂图案。
本发明授权制造集成电路装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括步骤： 在衬底上在用于形成多个芯片的第一区和围绕所述第一区的第二区中形成特征层，所述特征层在所述第一区中具有平坦上表面，并且在所述第二区中具有台阶差部分； 在所述第一区和所述第二区中的特征层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构； 形成覆盖所述硬掩模结构的保护层，使得所述硬掩模结构在所述第一区和所述第二区中不被暴露； 在所述第一区和所述第二区中的保护层上形成光致抗蚀剂层； 通过利用所述第二区中的台阶差部分作为对准标记将所述第一区中的光致抗蚀剂层曝光和显影，来形成光致抗蚀剂图案； 通过使用所述第一区中的光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述保护层和所述硬掩模结构；以及 在蚀刻所述保护层和所述硬掩模结构之后，通过使用蚀刻所述保护层和所述硬掩模结构而获得的图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一区中的特征层，来形成所述第一区中的多个着陆焊盘，所述多个着陆焊盘位于埋置接触件上且与所述埋置接触件部分地竖直重叠，并与位线竖直重叠，所述着陆焊盘的与所述埋置接触件竖直重叠的部分的下表面低于所述着陆焊盘的与所述位线竖直重叠的部分的下表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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